Технология высокой теплопроводности
| Технология высокой теплопроводности | |
| Предметы | Материал/Параметры |
| Материал | На основе алюминия, на основе алюминия (Al: 3003, 5052, 6061) На основе меди, на основе меди (Cu: T1, T2, T3) На основе керамики (Материал: AL2O3, ALN) |
| Поставщик материалов на металлической основе: Chuang Hui, Wazam, Ventech, Polytronics, | |
| Поставщик материалов на керамической основе: Kyocera, Bergquist | |
| Слои | 1-6л |
| Теплопроводность на металлической основе (Вт/мК) | Проводящий полипропилен: 2, 3, 4, 6, 8 |
| Термоэлектрическое разделение: 12, 25, 77, 380 Смесь меди/алюминия: 49-104 | |
| Теплопроводность на керамической основе (Вт/мК) | AL2O3: чистота 96% ---26; чистота 99% ---30 |
| ALN： Чистота 99,9%－－－67 | |
| Толщина доски (мм) | Металлическая основа: 1,0, 1,2, 1,6, 2,0, 2,3 |
| Керамическая основа: 0,83, 1,0, 1,5, 3,0 | |
| Толщина меди (унции) | Ч, 1, 2, 3 |
| Размер доставки: | На металлической основе: мин.: 18*18, макс.: 500*585 На керамической основе: мин.: 2*2, макс. 100*100 |
