Технология ФПК
| Технология ФПК | ||||
| Элемент | Рутинный процесс | Специальный процесс | ||
| Минимальная ширина линии/расстояние ( мкм ) | 35/35 | 30/30 | ||
| Мин. отверстие ( мкм ) | Лазер через землю | 75 | 50 | |
| Виа Холе земли | 100 | 100 | ||
| Тонкий допуск шага пальца и CPK | шаг≥90 ±20 КПК≥1,67 | шаг≥80 ±15 КФК≥1,67 | ||
| шаг≥70 ±15 КФК≥1,33 | шаг≥60 ±15 КФК≥1,33 | |||
| Обработка поверхности ( мкм ) | Позолота | Ni: 2~6 / Au: 0,03~0,5 | ||
| ЭНИГ | Ni: 2~6 / Au: 0,03~0,1 | |||
| ОСП | 0,2~0,4 | |||
| Контроль импеданса ( Ом ) | 100±10% | 100±8% | ||
| Минимальное расстояние между выводами компонентов для поверхностной пайки ( мкм ) | 35 | 30 | ||
| Минимальный обрабатываемый RC-компонент | 1005 | 1005 | ||
| Минимальный обрабатываемый шаг соединителя ( мкм ) | 30 | |||
| Минимальный обрабатываемый шаг устройства BGA ( мкм ) | 30 | |||
| Дозирующая способность ( мкм ) | 0,8 | 0,6 | ||
| Дозирующая способность-Недозаполнение ( мкм ) | 0,8 | 0,6 | ||
